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專有的高性能無線電力傳輸(含數據傳輸)解決方案

來源:Würth Elektronik ? 作者:Würth Elektronik ? 2019-12-09 11:27 ? 次閱讀

1.簡介

隨著無線電力傳輸在智能手機和充電站等消費電子產品中日益普及,工業和醫療技術制造商也愈加關注這項技術及其優勢。這項技術很有吸引力,特別是在工業,以及如建筑機械、易爆環境(ATEX)、農業等工作條件較為惡劣的領域。例如,它可以取代昂貴且易損的集電環,從而降低維護需求,延長產品的生命周期。
在醫療技術領域,非接觸式能量轉移也有許多優勢。醫療設備和系統不僅要適用衛生和消毒的特殊要求,還必須能夠耐受強腐蝕性清潔劑和化學品。非接觸式能量傳輸不需要使用特殊連接器,例如密封特別出色的連接器。由于越來越多的數據都通過WiFi、藍牙等無線方式來進行傳輸,因此,無線傳輸所需的能量也變得有意義了。本應用筆記旨在向開發人員展示如何簡單有效地設計一套額定功率數百瓦(含數據傳輸)的獨特的非接觸式電力傳輸系統。
圖 1:Würth Elektronik 無線充電線圈
無線充電原理
圖 2:無線電力傳輸的原理

2.感應式無線電力傳輸的工作原理

我們只使用近場能量傳輸。這種類型的傳輸涉及到基于兩個線圈之間磁通量的電感耦合。如圖2所示,傳輸路徑由四個主要器件組成。在發射側,有一個發射線圈和振蕩器,振蕩器用作逆變器;在接收側,有一個線圈和整流器,整流器的作用是將交流輸入轉換成直流輸出。振蕩器將輸入的直流電壓轉換成交流電流,然后在發射線圈 (L1) 中產生交變場。由于兩個線圈之間的互感,能量可以在發射線圈 (L1) 和接收線圈 (L2) 之間傳輸。發射線圈中的交流電流在接收線圈中感應出交流電壓(根據法拉第電磁感應定律),經整流后傳遞至負載。
若發射線圈和接收線圈之間的距離較大,雜散磁通量會急劇增加,從而導致能量傳輸效率降低,這與松耦合變壓器的功能相對應。不過,我們可以通過諧振式耦合來解決這個問題。
諧振式耦合可以增加傳輸距離,增大傳輸效率。其是純電感耦合的擴展,它利用發射線圈和接收線圈,以及彼此的串聯電容,共同組成LC串聯諧振電路(又稱“諧振腔”),從而實現能量的無線傳輸。為了達到最佳能量傳輸效率,必須調整振蕩電路的諧振頻率。將電容與WPT線圈串聯,幾乎可以完全補償極高的雜散電感。兩個振蕩電路之間的諧振可以改善所選諧振頻率下發射和接收線圈之間的磁耦合。
諧振式感應能量傳輸原理
圖3:諧振感應能量傳輸的原理
感應諧振能量傳輸的原理可以非常容易地應用于實踐。以下章節介紹了一種專有解決方案。

3.諧振式能量傳輸的實際應用

3.1.全橋諧振轉換器的設計
圖 4 為全橋諧振轉換器的框圖。電路圖可分為以下幾個部分:
? 固定占空比 (50 %) 振蕩器和全橋MOSFET驅動器
? 具有4個開關元件(MOSFET)的全橋電路?
? 諧振電容和WPT發射線圈組成的串聯諧振電路
? 諧振電容和WPT接收線圈組成的串聯諧振電路
? 整流器(橋式整流器或同步整流器)
該電路不是自激振蕩電路,開關頻率由振蕩器確定,并調諧為串聯諧振電路的諧振頻率。
全橋諧振轉換器框圖
圖4:全橋諧振轉換器框圖
此概念的優點:
? 可從低功率靈活擴展至超高功率(十瓦至數十千瓦)
? 諧振電路和整流器中的電流為正弦電流,具有良好的EMC特性
? MOSFET在零電壓下開關,效率非常高,超過90%
? 可輕松擴展適配多種不同的電壓/電流
? 可通過改變開關頻率使輸出電壓高于或低于輸入電壓
? 可調節輸出電壓
? 可在接收器和發射器之間傳輸數據
3.2.全橋諧振轉換器的操作
圖5a和5b為發射器和接收器之間的能量傳遞示意圖。發射線圈中的電流(諧振電流)是在零點附近振蕩的正弦電流。能量在諧振電流ICR/LR的兩個半波中傳遞。
諧振電路中正半波 (ICR/LR) 期間的能量傳遞原理
圖5a:諧振電路中正半波 (ICR/LR) 期間的能量傳遞原理
圖5b:諧振電路中負半波 (ICR/LR) 期間的能量傳遞原理
圖5b:諧振電路中負半波 (ICR/LR) 期間的能量傳遞原理
圖6:波形圖漏極信號A-B、C-D和線圈電流
(UIn=20V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
圖6顯示了諧振電路上的信號。信號“節點 CD”和“節點 AB”是全橋內的電壓曲線。在節點AB的高電平階段,節點CD上的電壓較低,反之亦然。
如前所述,諧振電路中的電流是正弦電流,并且可以看到電壓信號和電流信號之間有相移。出現這一相移是因為全橋的開關頻率高于串聯諧振電路的諧振頻率。操作點位于串聯諧振電路的感性范圍內,電流將滯后電壓。
這對于操作非常重要,因為只有通過這一相移進入感性范圍,才能實現ZVS(零電壓開關)操作,這樣可以達到最高效率。如果相移進入容性范圍,即電流超前電壓,則轉換器不會再在ZVS模式下工作,而是在ZCS(零電流開關)模式下工作。
ZCS操作的損耗較高,因為電流很難換向流入MOSFET的體二極管。在不利情況下,這可能會導致MOSFET損壞。
3.3.開關頻率與諧振頻率之間的關系
以下仿真左側為該電路的簡化模型。此處僅顯示發射器和接收器的諧振電路,就本文內容而言已經足夠。
圖 7:不同負載條件下的諧振行為仿真
圖 7:不同負載條件下的諧振行為仿真
左側電路為兩個串聯諧振電路,分別位于發射側和接收側。它們代表著圖4中的兩個諧振電路。每側各有一個400nF的電容和一個電感為5.8μH的WPT線圈 (760 308 102 142)。兩個振蕩電路彼此調諧。為進行仿真,我們需要確定發射和接收線圈的耦合系數,該耦合系數取決于兩個線圈之間的距離。本例中的距離設置為6mm,因此耦合系數為0.537 (0.54),該值通過測量確定。由發射和接收線圈組成的系統諧振頻率約為100kHz。
右側波特圖的X軸為頻率,Y軸為放大倍率。放大倍率=1(Vgain-Vin) 時,不同負載條件下的所有曲線都經過同一個點。本例中這個點在155kHz 處,對應電路的開關頻率。如上所述,開關頻率高于諧振電路的諧振頻率,從此處可以看出原因。以下波形圖(圖8)顯示了開關頻率和諧振電流。
圖8:開關頻率和磁化電流
圖8:開關頻率和磁化電流
(UIn=20V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
以上測量顯示開關頻率約為150kHz,非常接近仿真結果。圖8顯示了開關節點A-B/C-D(橙色線)的電壓曲線,以及流經發射側串聯諧振電路的諧振電流。
從這兩條曲線可以看出,每個半波期間,發射器和接收器之間均會發生完整的能量傳遞。每次開關節點切換時,諧振電流達到磁化電流。系統在此操作點的運行效率最高。在發射側,MOSFET以大約1V 的漏極/源極電壓關斷(ZVS 操作),該電壓取決于MOSFET中續流二極管的特性。
圖9:接收器到發射器的數據傳輸
圖9:接收器到發射器的數據傳輸(UIn=20 V,UOut=17V,IOut=6A,POut=100W)
根據MOSFET的數據手冊,其典型值介于0.93V和1.2V之間。
在接收側,整流二極管或同步整流器在ZCS(零電流開關)模式下工作。當諧振電路(接收側)中的電流達到0A,或者發射側的諧振電流達到磁化電流時,電流會在整流器中的兩個電橋分支之間輕微換向。可以通過改變開關頻率來改變輸出電壓。如果開關頻率降低,操作點會靠近諧振頻率移動,同時輸出電壓增加。
如果開關頻率增加,操作點會遠離諧振頻率移動,同時輸出電壓降低。請參見圖8中的諧振曲線。
3.4.發射器和接收器之間的數據傳輸
這種連接還能通過調制線圈之間的交變場,實現發射器和接收器之間的數據傳輸。請參見以下波形圖(圖9)。
數據以串行方式傳輸,傳輸速率約為9.6kBaud。黃色線為來自接收器的數據流,綠色線為發射器輸出端的解調信號。在本例中,數據從WPT接收器傳輸至WPT發射器。一個實際的例子是用于壓力、溫度,或其他類型應用的傳感器。如圖10 所示,連接到WPT接收器的傳感器通過WPT線圈提供能量,而來自傳感器的數據通過同一線圈同時傳輸到WPT發射器。
圖10:接收器到發射器的數據傳輸原理
圖10:接收器到發射器的數據傳輸原理
在接收器(數據源)側,通過開關將另一個電容連接到現有諧振電容。該開關連接到微控制器的UART輸出(參見圖10)。AM解調器和UART控制器從發射線圈處的調制信號接收數據。發射側的數據可以顯示在LCD顯示器上(圖12),也可以通過附加的RF模塊發送至任何類型的云服務。

4總結和測量設置

利用上面介紹的電路拓撲結構,可以實現數十千瓦的超大功率無線能量傳輸,以及數據傳輸。硬件開發人員可根據需要修改或擴展電路以適配其應用。由于可以傳輸數據,因此也可以調節輸出電壓。
圖11:測量設置
除了電路設計之外,發射和接收線圈對實現高效率和極致緊湊的設計也至關重要。Würth Elektronik eiSos可以提供同類設計中品質因子最高的線圈,以及其廣泛的產品。因此,可以實現高電感值,從而可以使用小型諧振電容。
此外,對于額定功率較高的產品,只能使用HF絞合線(交流損耗更低)和高質量鐵氧體材料(磁導率高)。在實踐中,這意味著最高的效率和最佳的EMC特性。
圖12:WPT發射器和WPT接收器
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的頭像 獨愛72H 發表于 11-13 16:44 ? 1492次 閱讀
小米發布無線充電寶,顏值高且支持雙向18W快充

中頻振蕩器能否將4分頻的輸出路由至其他任何引腳?

當使用外部振蕩器或內部振蕩器時,在f/4處,CLKOUT是可用的,并且可配置的,不管是開還是關,是否有辦法將除以4的輸出路由...
發表于 11-11 10:32 ? 74次 閱讀
中頻振蕩器能否將4分頻的輸出路由至其他任何引腳?

DCDC模塊電源有什么特點?

DC-DC是用開關電源的思想實現的。DC-DC有降壓和升壓兩種,在這里只說降壓,比如說你給DC-DC輸入10V,DC-DC內部...
發表于 11-11 09:00 ? 258次 閱讀
DCDC模塊電源有什么特點?

請教無線充電的數據通信問題

如圖: 2租PWM互補對要不斷輸出交變脈沖信號產生交變電流,然后在線圈上感應出磁場進行能量傳輸。但是同時又要輸出數據進行...
發表于 11-10 12:36 ? 300次 閱讀
請教無線充電的數據通信問題

晶振有哪些分類?怎么工作?

晶振是石英振蕩器的簡稱,英文名為Crystal,它是時鐘電路中最重要的部件,它的作用是向顯卡、網卡、主板等配件的各部分提供基準...
發表于 11-08 09:01 ? 121次 閱讀
晶振有哪些分類?怎么工作?

怎么將內部振蕩器與PIC 18F14K50配合使用?

經過多年和許多圖片,我來到了一個應用程序,大大受益于一個單一的芯片解決方案。使用18F14K50,并與內部振蕩器將做這項工作。...
發表于 11-07 10:26 ? 73次 閱讀
怎么將內部振蕩器與PIC 18F14K50配合使用?

在3M~30MHZ頻率使用的電壓控制振蕩器原理是什么?

頻率為3~30MHZ的高頻VCO電路
發表于 11-07 01:54 ? 71次 閱讀
在3M~30MHZ頻率使用的電壓控制振蕩器原理是什么?

怎么用PIC18F4680打開一個LED?

大家好,我想用PIC18F4680打開一個LED。我沒有成功…我已經用PIC16F1619成功地使用了一個內部振蕩器。(我證實LED...
發表于 11-06 07:35 ? 45次 閱讀
怎么用PIC18F4680打開一個LED?

FXLA2203 雙模 雙SIM卡電平轉換器

03允許兩個主機同時與兩個客戶身份模塊(SIM)或兩個用戶身份模塊(UIM)通信。雙模指的是移動電話同時兼容多種數據傳輸或網絡形式(如GSM,CDMA ,WCDMA,TDSCDMA或CDMA2000),其結果是雙基帶處理器配置。在雙通道模式應用中,FXLA2203主機端口直接與基帶處理器接口。雙向I / O漏極開路通道具有自動導向和內部10KΩ上拉電阻。通過置位以下單一控制引腳,任一主機可切換SIM卡槽:CH_Swap。典型的通道切換時間為130 ns。 FXLA2203不包含內部低壓差穩壓器(LDO)。相反,FXLA2203架構集成了兩個低RON內部功率開關,用于將現有的PMIC(功率管理集成電路)LDO路由至各個SIM卡槽。這可降低整體系統功率,利用現有LDO系統資源,而且符合將LDO集中到PMIC加強功率管理的理念。由于FXLA2203不阻止LDO功能到SIM卡,主機,PMIC和SIM卡之間維持了現有的激活/禁用時序透明度。該器件允許的電壓轉換范圍為最高3.6 V,最低1.65 V.每一端口跟蹤其各端口的電源。 特性 易用的“單引腳”SIM卡切換控制 通道切換時間:130 ns(典型值) 同時雙模雙SIM卡通...
發表于 08-02 23:02 ? 89次 閱讀
FXLA2203 雙模 雙SIM卡電平轉換器

AX8052F143 超低功耗窄帶Sub GHz(27 - 1050 MHz)8052無線微控制器

F143是一款單芯片解決方案,兼容物聯網中的眾多標準應用。 AX8052F143在868 MHz和1.2 kbps時的靈敏度為-126 dBm,電流消耗僅為9.5 mA,是該領域的杰出器件。低相位噪聲和高效率16 dBm發射器是顯而易見的特性。數據速率范圍為0.1到125 kbps。頻率范圍為27 MHz至1050 MHz,使該RF微控制器成為許多應用的理想器件,包括自動抄表和安全性。平均4.5μA占空比接收電流只是許多優秀參數中的一個。 AX8052F143微控制器內核執行行業標準8052指令集。系統時鐘可以從DC到20 MHz自由編程。由于指令在單個周期內執行,因此內核可以提供20 MIPS。提供64 kByte閃存,允許用C語言編寫應用程序。全關聯緩存和預取控制器可隱藏閃存的延遲。 AX8052F143具有雙通道DMA引擎,可以將數據傳輸到XRAM或從XRAM傳輸到芯片上的任何外設。提供具有自己的DMA引擎的專用AES引擎用于加密。其他外設包括三個具有可選sigma-delta輸出模式的通用定時器。定時器可用作兩個UART的波特率發生器。提供主/從SPI接口。具有靈活輸入模式的10位,500 kSample / s ADC以及比較器允許與模擬數據流接口。 特性 優勢 27 MHz至1050 MHz的...
發表于 08-01 22:02 ? 74次 閱讀
AX8052F143 超低功耗窄帶Sub GHz(27  -  1050 MHz)8052無線微控制器

AX8052F100 用于射頻應用的超低功耗微控制器

F100是一款超低功耗微控制器。它與RF IC一起針對電池供電應用進行了優化。 AX8052F100具有高集成度,具有吸引人的外設模塊,占板面積小,與RF IC的通信容易,靈活性和超低功耗。 AX8052F100微控制器內核執行行業標準8052指令集。系統時鐘可以從DC到20 MHz自由編程。由于指令在單個周期內執行,因此內核可以提供20 MIPS。提供64 kByte閃存,允許用C編程應用程序。完全關聯緩存和預取控制器隱藏閃存的延遲。 AX8052F100專門針對超低功耗應用。可以動態選擇四個系統時鐘源,從而靈活地調整系統速度以適應不同的應用需求。在喚醒定時器運行的情況下,內核消耗150μA/ MHz,AX8052F100在休眠模式下消耗800 nA。 AX8052F100具有雙通道DMA引擎,可以將數據傳輸到XRAM或從XRAM傳輸到芯片上的任何外設。提供具有自己的DMA引擎的專用AES引擎用于加密。其他外設包括三個具有可選sigma-delta或PWM輸出模式的通用定時器。定時器可用作兩個UART的波特率發生器。提供主/從SPI接口。具有靈活輸入模式的10位,500 kSample / s ADC以及比較器允許與模擬數據流接口。 AX8052F100具有專用的SPI主接口,可用...
發表于 08-01 22:02 ? 83次 閱讀
AX8052F100 用于射頻應用的超低功耗微控制器

N24RF16E 雙接口RFID 16 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF I

6E是一款帶有16 Kb EEPROM器件的RFID / NFC標簽,提供非接觸式和接觸式接口。除ISO / IEC 15693射頻識別(RFID)接口協議外,該器件還具有I2C接口,可與微控制器通信。 I 2 C觸點接口需要外部電源.16 Kb EEPROM陣列在RF模式下內部組織為512 x 32位,從I 2訪問時為2048 x 8位 C接口。 特性 非接觸式數據傳輸 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近范圍通訊(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 標記:ASK調制為1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s數據速率 來自標簽:負載調制使用曼徹斯特編碼,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)數據速率模式的423 kHz和484 kHz子載波。支持快速命令的53 Kbit / s數據速率 Read&寫32位塊模式 防沖突支持 64位唯一標識符(UID) 每個用戶存儲器扇區的多個32位密碼和鎖定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C協議 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 4字節頁寫緩沖區 I 2 C超時 I 2 C總線輸入(SCL和...
發表于 08-01 13:02 ? 16次 閱讀
N24RF16E 雙接口RFID 16 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF I

N24RF04 雙接口RFID 4 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF和I.

4是一款帶有4 Kb EEPROM器件的RFID / NFC標簽,提供非接觸式和接觸式接口。除ISO / IEC 15693射頻識別(RFID)接口協議外,該器件還具有I 2 C接口,可與微控制器通信。 I 2 C觸點接口需要外部電源.4 Kb EEPROM陣列在RF模式下內部組織為128 x 32位,從I 2訪問時為512 x 8位 C接口。 特性 非接觸式數據傳輸 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近范圍通訊(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 標記:ASK調制為1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s DataRate 來自標簽:負載調制使用曼徹斯特編碼,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)數據速率模式的423 kHz和484 kHz子載波。支持快速命令的53 Kbit / s數據速率 Read&寫32位塊模式 防沖突支持 64位唯一標識符(UID) 每個用戶存儲器扇區的多個32位密碼和鎖定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C協議 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 4字節頁寫緩沖區 I 2 C超時 I 2 C總線輸入(SCL...
發表于 08-01 12:02 ? 28次 閱讀
N24RF04 雙接口RFID 4 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF和I.

N24RF04E 雙接口RFID 4 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF I

4E是一款帶有4 Kb EEPROM器件的RFID / NFC標簽,提供非接觸式和接觸式接口。除ISO / IEC 15693射頻識別(RFID)接口協議外,該器件還具有I 2 C接口,可與微控制器通信。 I 2 C觸點接口需要外部電源.4 Kb EEPROM陣列在RF模式下內部組織為128 x 32位,從I 2訪問時為512 x 8位 C接口。 特性 非接觸式數據傳輸 ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1 Compliant 附近范圍通訊(最多150 cm) 13.56 MHz空中接口通信(HF) 標記:ASK調制為1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s數據速率 來自標簽:負載調制使用曼徹斯特編碼,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)數據速率模式的423 kHz和484 kHz子載波。支持快速命令的53 Kbit / s數據速率 Read&寫32位塊模式 防沖突支持 64位唯一標識符(UID) 每個用戶存儲器扇區的多個32位密碼和鎖定功能 支持快速(400 kHz)和快速加(1 MHz)I2C協議 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 4字節頁面寫入緩沖區 I2C超時 I2C總線輸入上的施密特觸發器和噪聲...
發表于 08-01 12:02 ? 33次 閱讀
N24RF04E 雙接口RFID 4 Kb EEPROM標簽ISO 15693 RF I

LE2432DXA 32 kb我

DXA是雙線串行接口EEPROM(電可擦除可編程ROM)。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術實現高速和高可靠性。該器件與I2C存儲器協議兼容,因此最適合需要可重寫非易失性參數存儲器的應用。 特性 優勢 容量:32k位(4k x 8位) 低功耗 單電源電壓:1.7至3.6 V 高數據傳輸率 工作溫度:-40至+ 85°C 高可靠性 接口:雙線串行接口(I 2 C Bus) 工作時鐘頻率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗待機:2μA(ma x)有效(讀取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(讀取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自動頁面寫入模式:32字節 讀取模式:順序讀取和隨機讀取 從機地址: 7位格式的從機地址為0x50或0x54,具體取決于引腳B3(TEST)的極性 擦除/寫入周期:10 6 周期(Page Write) 數據保留期:20年 應用 終端產品 移動電話相機模塊 移動電話 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 12:02 ? 8次 閱讀
LE2432DXA 32 kb我

N24RF64 雙接口RFID 64 Kb EEPROM標簽符合ISO 15693 RF和I2C總線標準

4是一款帶有64 Kb EEPROM器件的RFID / NFC標簽,提供非接觸式和接觸式接口。除ISO / IEC 15693射頻識別(RFID)接口協議外,該器件還具有I2C接口,可與微控制器通信。 I2C接口接口需要外部電源.64 Kb EEPROM陣列內部組織為RF模式下的2048 x 32位,以及從I2C接口訪問時的8192 x 8位。 特性 非接觸式數據傳輸 符合ISO 15693 / ISO 18000-3 Mode1標準 近距離通訊(最長150厘米) 13.56 MHz(HF)的空中接口通信 標記:ASK調制,1.65 Kbit / s或26.48 Kbit / s DataRate 來自標簽:負載調制使用曼徹斯特編碼,具有423 kHz和484 kHz子載波,具有低(6.6 Kbit / s)或高(26 Kbit / s)數據速率模式。支持快速命令的53 Kbit / s數據速率 Read&寫32位塊模式 防沖突支持 64位唯一標識符(UID) 每個用戶存儲器扇區的多個32位密碼和鎖定功能 支持快速(400 kHz)和Fast-Plus(1 MHz)I 2 C協議 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 4字節頁寫緩沖區 I2C超時 施密特觸發器和噪聲I 2 C總線輸...
發表于 08-01 12:02 ? 24次 閱讀
N24RF64 雙接口RFID 64 Kb EEPROM標簽符合ISO 15693 RF和I2C總線標準

LE2464DXA 64 kb我

DXA是雙線串行接口EEPROM(電可擦除和可編程ROM)。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術實現高速和高可靠性。該器件與I2C存儲器協議兼容,因此最適合需要可重寫非易失性參數存儲器的應用。 特性 優勢 容量:64k位(8k x 8位) 低功耗 單電源電壓:1.7至3.6 V 高數據傳輸率 工作溫度:-40至+ 85°C 高可靠性 接口:雙線串行接口(I 2 C Bus) 工作時鐘頻率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗待機:2μA(ma x)有效(讀取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(讀取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自動頁面寫入模式:32字節 讀取模式:順序讀取和隨機讀取 從機地址: 7位格式的從機地址為0x50或0x54,具體取決于引腳B3(TEST)的極性 擦除/寫入周期:10 6 周期(Page Write) 數據保留期:20年 應用 終端產品 移動電話相機模塊 移動電話 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 12:02 ? 32次 閱讀
LE2464DXA 64 kb我

LE2464RDXA 64 kb I

RDXA是雙線串行接口EEPROM(電可擦除和可編程ROM)。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術實現高速和高可靠性。該器件與I2C存儲器協議兼容,因此最適合需要可重寫非易失性參數存儲器的應用。 特性 優勢 容量:64k位(8k x 8位) 低功耗 單電源電壓:1.7 V至3.6 V 高數據傳輸率 工作溫度:-40oC至+85oC 高可靠性 接口:雙線串行接口(I 2 C Bus) 工作時鐘頻率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗:待機:2 A(最大):有效(讀取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(讀取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自動頁面寫入模式:32字節 讀取模式:順序讀取和隨機讀取 從機地址:7位格式的從機地址為0x54 (S2 = 1,S1 = 0,S0 = 0) 擦除/寫周期:10 6 周期(Page Write) 數據保留期:20年 上拉電阻:帶有內置上拉電阻的WP引腳上的5kΩ(典型值) 應用 終端產品 移動電話相機模塊 移動電話 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 12:02 ? 30次 閱讀
LE2464RDXA 64 kb I

LE2432RDXA 32 kb I

RDXA是雙線串行接口EEPROM(電可擦除和可編程ROM)。該器件采用高性能CMOS EEPROM技術實現高速和高可靠性。該器件與I2C存儲器協議兼容,因此最適合需要可重寫非易失性參數存儲器的應用。 特性 優勢 容量:32k位(4k x 8位) 低功耗 單電源電壓:1.7V至3.6V 高數據傳輸率 工作溫度:-40oC至+85oC 高可靠性 接口:雙線串行接口(I 2 C Bus) 工作時鐘頻率:400 kHz(快速),1000 kHz(快速加) 低功耗:待機:2μA (最大值):有效(讀取,400 kHz):0.5 mA(最大值)有效(讀取,1000 kHz):2.0 mA(最大值) 自動頁面寫入模式:32字節 讀取模式:順序讀取和隨機讀取 從機地址:7位格式的從機地址為0x54(S2 = 1,S1 = 0,S0 = 0) 擦除/寫入周期:10 6 周期(Page Write) 數據保留期:20年 上拉電阻:帶有內置上拉電阻的WP引腳上的5kΩ(典型值) 應用 終端產品 移動電話相機模塊 移動電話 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 08-01 12:02 ? 40次 閱讀
LE2432RDXA 32 kb I

FSA2457 雙通道DPDT 5 Ohm模擬數據開關

7是一款雙向,低功率,雙通道雙刀雙擲(4PDT)模擬開關,主要用于雙通道1位SIM / SD / MMC卡和/或GPS信號多路復用。該器件針對WLAN-SIM數據切換和52Mbps的控制信號進行了優化.FSA2457符合1位SIM / SD / MMC卡的要求,是與GPS基帶處理器進行接口連接的理想選擇.FSA2457有12pF的低導通電容(C ON ),以保證高速的數據傳輸.FSA2457包含特殊的電路,將電流消耗降低至最低,甚至當應用于SEL引腳上的控制電壓低于電源電壓(V CC )時也是如此。此特性對超便攜式應用(例如手機)尤為重要,可便于與基帶處理器的通用I / O進行直接的接口連接。其他應用包括在便攜手機,PDA,數碼相機,打印機和便攜式GPS系統中實現開關和連接器共用功能。 特性 數據路徑的低導通電容:12p F(典型值) 數據路徑的低導通電阻:5Ω(典型值) 低靜態功耗:1μA(最大值) 寬-3dB帶寬:> 160MHz 封裝: 無鉛16引腳UMLP(1.8 x 2.6mm) 4kV JEDEC:JESD22-A114 HBM 2kV JEDEC:JESD22-C101 CDM 應用 多媒體平板電腦 存儲...
發表于 08-01 10:02 ? 29次 閱讀
FSA2457 雙通道DPDT 5 Ohm模擬數據開關

FUSB340 USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps開關

0是一個2:1數據開關,用于5 Gbps數據的USB SuperSpeed Gen1和10 Gbps數據的Gen2。其定位于移動設備市場,并用于可逆電纜線需要開關的Type-C應用中。 FUSB340數據開關提供了具有卓越性能的各類高速數據傳輸協議: USB 3.1 SuperSpeed(Gen 2),10 Gbps PCI Express,Gen 3 SATA 光纖通道 顯示端口1.3 特性 10 GHz典型帶寬 USB 3.1 SuperSpeed 5Gbps和10 Gbps開關 2.5 GHz的-1.0 dB典型插入損耗 12μA典型值的低有功功率 1μA最大值...
發表于 08-01 05:02 ? 56次 閱讀
FUSB340 USB 3.1 SuperSpeed 10 Gbps開關

NL3HS2222 高速USB 2.0 DPDT開關

222是一款DPDT交換機,針對便攜式系統中的高速USB 2.0應用進行了優化。它具有超低的導通電容,CON = 7.5 pF(典型值),帶寬高于950 MHz。它針對使用單個USB接口connectorto路由多種信號類型的應用進行了優化。兩個通道的CON和RON都很低,允許NL3HS2222將任何速度的USB數據傳輸信號傳遞到中等電阻的終端,如外置耳機。 應用 USB 2.0開關 電路圖、引腳圖和封裝圖
發表于 07-31 21:02 ? 113次 閱讀
NL3HS2222 高速USB 2.0 DPDT開關

NL3S588 支持USB 2.0的超低THD DPDT開關

8是一款單電源,雙向,雙刀/雙刀(DPDT)開關,適用于高保真音頻和高速數據應用。 NL3S588具有超低失真,高OFF隔離模擬開關,可以傳遞相對于地的正負模擬信號。它針對消費類和專業DC耦合GND參考音頻切換應用,如計算機聲卡和家庭影院產品。 NL3S588還可用于高速差分數據傳輸應用。兩個通道都符合USB 2.0標準。 特性 DPDT SWITCH 3.3 V單電源供電 適用于1.4 mm x 1.8 mm UQFN10 此設備無鉛,無鹵素/無BFR且符合RoHS標準 2 V RMS 信號切換 -116 dB THD + N進入20kΩ負載,2 V RMS -112 dB THD + N進入32Ω負載,0.707 V RMS 信噪比:> 125 dBV ±0.004 dB插入損耗,1 kHz,20 kΩ負載 ±0.0008 dB增益變化20 Hz至20 kHz 112 dB信號靜音到20kΩ負載 131 dB PSRR 20 Hz至20 kHz 輸入信號范圍:0 V至V DD C ON :8.9 pF(Typ) 數據速率:USB 2.0兼容 - 最高480 Mbps 帶寬:580 MHz 應用 終端產品 高保真音頻切換 USB 2.0高...
發表于 07-31 21:02 ? 64次 閱讀
NL3S588 支持USB 2.0的超低THD DPDT開關

BCM7400 用于衛星,IP和電纜的雙AVC / MPEG-2 / VC-1高清數字視頻解碼器

BCM7400是一款雙通道高清衛星,有線和IP機頂盒DVR解決方案,提供集成的AVC(H.264 / MPEG-4 Part 10), MPEG-2,MPEG-4 Part 2,DivX和VC-1視頻解碼技術。   BCM7400結合了數據傳輸處理器,兩個高清AVC / MPEG-2 / VC-1視頻解碼器,兩個高級音頻解碼器,2D和3D圖形處理,高質量視頻縮放和運動自適應去隔行,七個視頻DAC,雙立體聲高保真音頻DAC,雙線程350-帶有FPU級CPU的MHz MIPS32,以及提供各種機頂盒(STB)控制功能的外圍控制單元。  功能 雙高級AVC / MPEG-2 / VC-1解碼器,具有H.264 / AVC主要和高配置到4.1級 支持AAC LC,AAC LC + SBR 2級和AAC +級別的雙高級音頻處理器2 2D和3D圖形繪制引擎,具有高清的工作室級文本和圖形解決方案 AES / 1DES / 3DES / CSS / CPRM / DTCP復制保護 應用程序 機頂盒 高清電視 ...
發表于 07-04 10:03 ? 38次 閱讀
BCM7400 用于衛星,IP和電纜的雙AVC / MPEG-2 / VC-1高清數字視頻解碼器

NBXHBA017 晶體振蕩器模塊,PureEdge?,156.25 MHz LVPECL,3.3 V

信息 NBXDBB017雙頻晶體振蕩器(XO)旨在滿足當今3.3 V LVPECL時鐘生成應用的要求。該器件采用高Q基波晶體和鎖相環(PLL)倍頻器,提供可選的156.25 MHz或312.5 MHz,超低抖動和相位噪聲LVPECL差分輸出。該器件是安森美半導體PureEdge?時鐘系列的成員,可提供精確和精確的時鐘解決方案。提供5 mm x 7 mm SMD(CLCC)封裝,16 mm膠帶和卷軸,數量為1,000。頻率穩定性選項可用50 PPM NBXDBA017或20 PPM NBXDBB017。 可選輸出頻率 - 156.25 MHz(默認)/ 312.5 MHz LVPECL差分輸出 用途高Q基本模式晶體和PLL倍頻器 超低抖動和相位噪聲 - 0.4 ps(12 kHz - 20 MHz) 工作范圍3.3 V +/- 10% 總頻率穩定性 - +/- 20PPM或+/- 50PPM...
發表于 04-18 21:05 ? 63次 閱讀
NBXHBA017 晶體振蕩器模塊,PureEdge?,156.25 MHz LVPECL,3.3 V

MC100EL1648 壓控振蕩器 ECL 5.0 V

L1648需要一個由電感(L)和電容(C)組成的外部并聯儲能電路。變容二極管可以包含在諧振電路中,以為振蕩器提供電壓可變輸入(V CO )。該設備還可以用于需要固定頻率時鐘的許多其他應用中。 MC100EL1648非常適合需要本地振蕩器的應用。系統包括電子測試設備和數字高速通信。 MC100EL1648基于MC1648的V CO 電路拓撲結構。 MC100EL1648采用先進的雙極性工藝技術,可實現在擴展頻率范圍內工作的設計。 MC100EL1648的ECL輸出電路不是傳統的開放式發射極輸出結構,而是具有片上終端標稱值為510歐姆的電阻器。這有助于將輸出信號直接交流耦合到傳輸線中。由于這種輸出配置,不需要外部下拉電阻來為輸出提供直流電流路徑。此輸出旨在驅動一個ECL負載。如果用戶需要扇出信號,則應使用ECL緩沖器,例如MC10EL16線路接收器/驅動器 注意:MC100EL1648不能用作晶體振蕩器。 特性 典型工作頻率高達1100 MHz 5.0 Vdc電源時的低功耗19 mA 相位噪聲-25 dBc / Hz,25 kHz典型值 ESD保護:> 2 KV HBM,> 100 V MM PECL模式工作范圍:V CC = 5.0 V,V EE =...
發表于 04-18 20:52 ? 68次 閱讀
MC100EL1648 壓控振蕩器 ECL 5.0 V

74VHC123A 雙通道可觸發多諧振蕩器

A是一款先進的高速CMOS單穩態多諧振蕩器,采用硅柵極CMOS技術制造。它實現了與等效雙極型肖特基TTL相似的高速運行,同時保持了CMOS低功耗。每個多諧振蕩器都具有負A和正B轉換觸發輸入,兩者均可用作禁止輸入。另外包含清零輸入,處于低電平時可復位單次采樣.VHC123A可以在清零正轉換期間觸發,此時A保持低電平,B保持高電平。輸出脈沖寬度由以下等式確定:PW =(R x )(C x );其中PW單位為秒,R單位為歐姆,C單位為法拉.R x 和C x 的限值為:外部電容器,C x 無限制外部電阻,R x V CC = 2.0V,最小值5 kohm V CC > 3.0V,最小值1 kohm輸入保護電路確保0到7V可施加到輸入引腳,而不管電源電壓如何。此器件可用于連接5V至3V系統和兩個電源系統(例如備用電池)。此電路可防止器件因電和輸入電壓不匹配而受損。 特性 高速:T A = 25°C時,t PD = 8.1 ns(典型值) 低功耗:T A = 25°C時,I CC =4μA(最大值) 有效狀態:I CC =600μA(最大值),T A = 25°C時 高抗噪能力:V NIH = V NIL = 28%V CC (最小值) 所有...
發表于 04-18 19:47 ? 78次 閱讀
74VHC123A 雙通道可觸發多諧振蕩器

NBXSBA017 晶體振蕩器模塊,PureEdge?,312.5 MHz LVPECL,3.3 V

信息 NBXDBB017雙頻晶體振蕩器(XO)旨在滿足當今3.3 V LVPECL時鐘生成應用的要求。該器件采用高Q基波晶體和鎖相環(PLL)倍頻器,提供可選的156.25 MHz或312.5 MHz,超低抖動和相位噪聲LVPECL差分輸出。該器件是安森美半導體PureEdge?時鐘系列的成員,可提供精確和精確的時鐘解決方案。提供5 mm x 7 mm SMD(CLCC)封裝,16 mm膠帶和卷軸,數量為1,000。頻率穩定性選項可用50 PPM NBXDBA017或20 PPM NBXDBB017。 可選輸出頻率 - 156.25 MHz(默認)/ 312.5 MHz LVPECL差分輸出 用途高Q基本模式晶體和PLL倍頻器 超低抖動和相位噪聲 - 0.4 ps(12 kHz - 20 MHz) 工作范圍3.3 V +/- 10% 總頻率穩定性 - +/- 20PPM或+/- 50PPM...
發表于 04-18 18:59 ? 65次 閱讀
NBXSBA017 晶體振蕩器模塊,PureEdge?,312.5 MHz LVPECL,3.3 V
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